韓國首爾半導體及其子公司首爾Viosys，于2016年9月9日，在美國加州向美國零售巨頭 Kmart 創(chuàng)議專利侵權訴訟。Kmart 是美國最大的打折零售商和全球最大的批發(fā)商之一，擁有1000多家門店，年發(fā)賣額達250億美元。
該訴訟針對在 Kmart 發(fā)賣的一款 LED 燈絲燈，首爾半導體默示 Kmart 發(fā)賣的該燈絲燈加害了首爾半導體 8 項 LED 相關專利。
從該 LED 燈絲燈的包裝或許看出，該產(chǎn)物來自美國 Spotlite America Corporation(出產(chǎn)自中國)。可是，首爾半導體沒有直接告狀Spotlite，而是告狀終端零售商 Kmart。
下面來一一解析該訴訟涉及的8項專利。
No.1 US6942731
該專利由柏林工業(yè)大學于 2001 年申請，并于 2005 年獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權，2012 年專利權讓渡給首爾半導體。
該專利針對 GaN LED 外延過程中，3D發(fā)展+2D發(fā)展的工藝。
No.2 US7626209
該專利由Seoul Opto Device于 2008 年申請，并于 2009 年獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權，2011 年專利權讓渡給首爾半導體，2014年專利權進一步讓渡給首爾Viosys。
該專利的權力要求為，量子阱布局中，undoped-InGaN 和 Si-doped GaN構成復合勢壘層。
No3. US7906789
該專利由首爾半導體于2008年申請，并于2011年獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權。
該專利的權力要求為，(藍光LED+黃綠粉)和(藍光LED+紅粉)兩組光夾雜實現(xiàn)高顯色指數(shù)的白光。
No4. US7951626
該專利由Seoul Opto Device于 2009 年申請，并于 2011 年獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權，2014年專利權讓渡給首爾Viosys。
該專利的權力要求為，將GaN外延片霎蝕出傾斜側壁的工藝方式。傾斜側壁是出產(chǎn)高壓芯片需要用到的。
No5. US7982207
該專利由Seoul Opto Device于 2010年申請，并于 2011 年獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權，2014年專利權讓渡給首爾Viosys。
該專利的權力要求為，P-pad 下面有電流反對層，該反對層同時有反射光線的感化，削減pad吸光。
No6. US8664638
該專利由Seoul Opto Device于 2011年申請，并于 2014年獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權，2014年專利權讓渡給首爾Viosys。
該專利的權力要求為，在Buffer層和N-GaN層之間，采用分歧的溫度發(fā)展三層中心層。
No7. US8860331
該專利由首爾Viosys于 2013年申請，并于 2014年獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權。
該專利的權力要求為，AC LED 同時激發(fā)兩種熒光粉，兩種熒光粉的熒光衰減時候分歧。
No8. US9240529
該專利由諾貝爾獎獲得者中村修二傳授等人于2014年申請，并于 2016年1月獲得美國發(fā)現(xiàn)專利授權，今朝專利權工錢美國加州大學。
該專利的權力要求為，LED芯片上下雙面出光，固定至封裝支架上的晶瑩板，從而LED芯片向下發(fā)出的光線或許該晶瑩板出射。
精確地切中了，燈絲封裝中芯片后面光線，從晶瑩基板出射的要點。
在這項專利申請日期之前，中國企業(yè)早已投入大量研發(fā)資源進行LED燈絲封裝研發(fā)，而且將產(chǎn)物推向了市場。可是，中國企業(yè)的專利結構缺失，而今已經(jīng)陷入被動場合。
中村修二傳授、臺灣晶元光電在燈絲產(chǎn)物上市發(fā)賣多年之后，照舊申請到了據(jù)有焦點手藝點的專利。
可見，專利闡明與結構，什么時候起頭都不晚，只要去做，總能獲得對貿(mào)易競爭有接濟的專利。
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